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刘昆:改革个人所得税制度 合理提高基本减除费用标准

2018-12-10 05:53 来源:爱丽婚嫁网

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内存价格居高不下 三星投3万亿韩元扩产DRAM工厂

2018-12-10 11:08:00来源:环球网

  【环球网报道 实习记者 王晨】据韩国电子新闻Etnews5月1日报道,韩国三星电子计划投资近3万亿韩元(约合人民币183亿元),扩充位于京畿道华城工厂17线DRAM产能。若投资完成,华城工厂将再没有多余空间,三星计划在17线生产增产DRAM、3D NAND闪存以及系统半导体。

  业界相关消息称,三星电子最近向设备合作企业通报拟投资扩建17线,并在3月向部分企业下单。有推测认为,投资规模约为月产35000张300mm硅晶圆,以投资金额计约为2.5-3万亿韩元。三星将在此生产10纳米DRAM,预计订货、设备生产等一系列步骤将在2017年年末或2018年年初完成,2017年下半年即可开始初步生产。

  报道称,由于华城工厂11线今后将专门用于生产CMOS和CIS等,三星为弥补产能损失,决定扩建17线。此前,11线在生产图像传感器的同时,有部分空间用来生产DRAM。

  华城工厂分为4部分,内部名称也有所不同,17线用来生产DRAM,16-2线用于生产3D NAND闪存而S3线用来生产10纳米系统大规模集成电路。

  业界相关人士称,半导体行业投资以月为单位变化,竞争激烈,本次投资是为弥补11线用途转变导致的产能不足和制程微缩损失,对DRAM供求基本没有影响。

  报道称,三星还计划在17线旁另建新厂,用来生产7纳米系统半导体。

编辑: 贾斯曼
关键词: DRAM;用途转变;Etnews;三星计划;三星电子
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